2米波段144兆 AM 無線電測向機 制作 ( VR2首創 )

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中頻放大習作

[ 本帖最後由 VR2UIO 於 7-7-2007 11:20 AM 編輯 ]

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LC 串並聯諧振電路的特性



一.串聯諧振電路:當外來頻率加於一串聯諧振電路時，它有以下特性:
1.當外加頻率等於其諧振頻率時其電路阻抗呈純電阻性，且有最少值，它這個特性在實際應用中叫做陷波器.
2.當外加頻率高於其諧振頻率時，電路阻抗呈感性，相當於一個電感線圈.
3.當外加頻率低於其諧振頻率時，這時電路呈容性，相當於一個電容.
二.並聯諧振電路:當外來頻率加于一並聯諧振電路時，它有以下特性:
1.當外加頻率等於其諧振頻率時其電路阻抗呈純電阻性，且有最大值，它這個特性在實際應用中叫做選頻電路.
2.當外加頻率高於其諧振頻率時，電路阻抗呈容性，相當於一個電容.
3.當外加頻率低於其諧振頻率時，這時電路呈感性，相當於一個電感線圈.
所以當串聯或並聯諧振電路不是調節在信號頻率點時，信號通過它將會產生相移.(即相位失真)

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[ 本帖最後由 VR2UIO 於 17-7-2007 04:53 PM 編輯 ]

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PartNumber = 2SK125
Manufacturer Name = Sony Semiconductor
Average Price = 15.48078
Description = N-Channel UHF-Microwave JFET
V(BR)GSS (V) = 35
I(D) Abs. Drain Current (A) = 100m
P(D) Max.(W) Power Dissipation = 300m
I(DSS) Min. (A) = 40m
I(DSS) Max. (A) = 75m
@V(DS) (V) (Test Condition) = 10
@Temp (°C) (Test Condition) = 25
g(fs) Min. (S) Trans. conduct. = 10m
g(fs) Max, (S) Trans. conduct, = 14m
@V(DS) (V) (Test Condition) = 10
@I(D) (A) (Test Condition) = 10m
V(GS)off Max. (V) = 6
@V(DS) (V) (Test Condition) = 10
Power Gain Min. (dB) = 7.0
@V(DD) (V) (Test Condition) = 10
@I(D) (A) (Test Condition) = 10m
@Freq. (Hz) (Test Condition) = 500M
Noise Figure Max. (dB) = 4.0
@V(DS) (V) (Test Condition) = 10
@I(D) (A) (Test Condition) = 10m
@Freq. (Hz) (Test Condition) = 500M
Semiconductor Material = Silicon
Status = Discontinued
Package = TO-226var